美国国家工程研究院最近公布新院士名单，共有三位华裔学者入选，本刊上期仅提及吴京院士及陈惠发教授，尚有一位获此殊荣者为本院新科院士、着名之电子工程专家施敏。施院士为台大电机工程学士、美国史丹佛大学博士，现任交通大学教授。他对现代微电子科技（Microelectronics）的发展有重大贡献，是半导体元件物理及制程技术的权威。他在经济部电子工业小组委员任内，协助成立工研院电子所，对开拓我国电子工业有前瞻性的建树。

施敏，是非常厉害的人物，之前在贝尔实验室研究，几年前才回到国内，是大哥大四个发明人之一，写过一本半导体元件物理，发行量大概已有一两百万本，被论文引用的次数约两万多次(据说是世界第一)，这样说只是想传达一位学术界上很有地位的学者的看法而已。

施敏先生在一场Evolution of Nonvolatile Semiconductor Memory的Seminar时再三的强调关于手机的危险性，他引用美国目前研究的数据：
人类如处在2mG(毫高斯)，就会有不好的影响，并当场示范，只使用可在10~200Hz(赫兹)范围内的仪器，量的的结果是：
手机超过了仪器的上限 1000mG，而手机所用的微波范围在2000,20000Hz 或更高。

他在国家实验室所量的结果可以到达1~2万 mG(毫高斯)，这是通话中所量测的，更别提是在接通中了。本实验所用的手机是motorola的，其他的品牌也不会好到哪去。

他 ..

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